光刻是語音芯片生產(chǎn)制造的核心技術(shù)語音IC的更新?lián)Q代依賴于光刻技術(shù)的發(fā)展，必須針對每一世代的語音芯片技術(shù)開發(fā)固有的光刻技術(shù)。想走在語音芯片市場的前列。研究探索新一代光刻技術(shù)是重中之重。而以往常用的100nm光刻技術(shù)也在時代的更替中推出歷史舞臺。

目前光學光刻方法已從接觸－接近式、反射投影式、步進投影式發(fā)展到步進掃描投影式，光源波長已從436nm和365nm(汞弧燈)縮短到248nm(KrF準分子激光源)。通過對光源、透鏡系統(tǒng)、精密對準、光刻膠以及相移掩模（PSM）技術(shù)等方面長期深入的研究工作，光學光刻方法取得了令人難以置信的進展，可以突破通常的物理限制在芯片上印制出特征尺寸比光源波長更小的圖形。去年投入生產(chǎn)的180nm技術(shù)采用了波長248nm的步進掃描投影光刻技術(shù)。對特征尺寸130nm的光刻技術(shù)將仍然用光學方法，目前正在開發(fā)兩種技術(shù)，一種是采用波長248nm加PSM技術(shù)，別一種是采用波長193nm（ArF準分子激光源）的光刻技術(shù)。

然而，一般認為，利用光學光刻方法印制微細圖形已接近極限。在50nm及其以下，光學光刻方法將被其他新技術(shù)所取代。目前正在開發(fā)的技術(shù)有電子投影光刻技術(shù)（EPL）、離子投影光刻技術(shù)（IPL）、X－射線光刻技術(shù)、電子束直寫光刻技術(shù)（EBDW）以及超紫外（EUV）光刻技術(shù)等。至于對特征尺寸在100nm～70nm范圍內(nèi)則尚無定論，一般認為光學光刻方法仍將與上述新技術(shù)相競爭。